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nm工艺上,台积电将放弃延续多年 FinFET(鳍式场效应晶体管),甚至不使用 星规划在 nm工艺上使用 GAAFET(环绕栅极场效应晶体管),也就是纳米线(nanowire),而是将其拓展成为“MBCFET”(多桥通道场效应晶体管),也就是纳米片(nanosheet)。
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从GAAFET到MBCFET,从纳米线到纳米片,可以视为从 维到 维 跃进,能够大大改进电路控制,降低漏电率。
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台积电还表示, nm 突破将再次拉大与竞赛对手 差距,同时延续摩尔定律,继续挺进 nm工艺 研发。
台积电预计,苹果、高通、NVIDI AMD等客户都有望率先采纳其 nm工艺。
当然,新工艺 成本越发会成为天文数字, 星已经在 nm工艺研发上已经投入了大约 ． 亿美元, nmGAAFET上会大大超过 亿美元。
标签，半导体
根据新新报道,台积电已经在 nm工艺上取得 项重大 内部突破,虽未披露细节,但是据此乐观预计, nm工艺有望在 零 年下半年进行风险性试产,狗粮快讯网继昨日获悉, 零 年就能步入量产阶段。
这几年,狗粮快讯网昨日记者获悉,天字 号代工厂台积电在新工艺进展上简直是开挂 般 存在, nm工艺全面普及, nm工艺 路领先, nm工艺近在眼前, nm工艺也进展神速。
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